型号:ZHB6792TC | 类别:晶体管(BJT) - 阵列 | 制造商:Diodes Inc |
封装:SOT-223-8 | 描述:TRANS H-BRIDGE BIPO SOT223-8 |
详细参数
类别 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
---|---|
描述 | TRANS H-BRIDGE BIPO SOT223-8 |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
晶体管类型 | 2 个 NPN + 2 个 PNP(H 桥) |
电流_集电极(Ic)111最大222 | 1A |
电压_集电极发射极击穿111最大222 | 70V |
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222 | 750mV @ 50mA,2A |
电流_集电极截止111最大222 | - |
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE) | 300 @ 100mA,2V |
功率_最大 | 1.25W |
频率_转换 | 100MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-223-8 |
供应商设备封装 | SOT-223 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
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深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
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